Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 9.8A | 50W | DPAK
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 9.8A | 50W | DPAK
EB Kods: EB902231116
Ražotāja preces kods: FQD19N10LTM
Ražotāja preces kods:
FQD19N10LTM
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
1,42 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | QFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 9.8A |
Power dissipation | 50W |
Case | DPAK |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.11Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 18nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |