Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 67A | 125W | PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 67A | 125W | PG-TO252-3
EB Kods: EB2104800526
Ražotāja preces kods: IPD12CN10NGATMA1
Ražotāja preces kods:
IPD12CN10NGATMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,09 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | OptiMOS™ 2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100V |
| Drain current | 67A |
| Power dissipation | 125W |
| Case | PG-TO252-3 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 12.4mΩ |
| Mounting | SMD |
| Kind of channel | enhanced |