Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 67A | 125W | PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 67A | 125W | PG-TO252-3
EB Kods: EB2104800526
Ražotāja preces kods: IPD12CN10NGATMA1
Ražotāja preces kods:
IPD12CN10NGATMA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
2,22 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | OptiMOS™ 2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 67A |
Power dissipation | 125W |
Case | PG-TO252-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 12.4mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of channel | enhanced |