Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 5.6A | Idm: 32A | 2W | SOT89-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 5.6A | Idm: 32A | 2W | SOT89-3
EB Kods: EB1922514974
Ražotāja preces kods: BXT1150N10J
Ražotāja preces kods:
BXT1150N10J
Ražotājs, zīmols: BRIDGELUX
Ražotājs, zīmols:
BRIDGELUX
0,25 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 5.6A |
Pulsed drain current | 32A |
Power dissipation | 2W |
Case | SOT89-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 135mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 21nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |