Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 44.3A | Idm: 280A | 96.1W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 44.3A | Idm: 280A | 96.1W
EB Kods: EB1215732056
Ražotāja preces kods: WMB099N10LGS
Ražotāja preces kods:
WMB099N10LGS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
1,08 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 44.3A |
Pulsed drain current | 280A |
Power dissipation | 96.1W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 14mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 57.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |