Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 43A | Idm: 272A | 96.1W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 43A | Idm: 272A | 96.1W
EB Kods: EB960001181
Ražotāja preces kods: WMB099N10HGS
Ražotāja preces kods:
WMB099N10HGS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,89 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 43A |
Pulsed drain current | 272A |
Power dissipation | 96.1W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 9.9mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 59nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |