Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 43A | Idm: 268A | 89.3W | TO252
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 43A | Idm: 268A | 89.3W | TO252
EB Kods: EB1546941074
Ražotāja preces kods: WMO099N10LGS
Ražotāja preces kods:
WMO099N10LGS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
1,06 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 43A |
Pulsed drain current | 268A |
Power dissipation | 89.3W |
Case | TO252 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 14mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 59nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |