Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 238A | Idm: 952A | 277.8W

EB Kods: EB916485055

Ražotāja preces kods: 
WMMB020N10HG4

Ražotājs, zīmols: 
WAYON

 2,67 € 
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current238A
Pulsed drain current952A
Power dissipation277.8W
CaseTO263-7
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.5mΩ
MountingSMD
Gate charge123.4nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhancement