Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 180A | 300W | PG-TO263-7

EB Kods: EB178951545

Ražotāja preces kods: 
IPB025N10N3GATMA1

Ražotājs, zīmols: 
INFINEON TECHNOLOGIES

 7,50 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current180A
Power dissipation300W
CasePG-TO263-7
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.5mΩ
MountingSMD
Kind of channelenhanced