Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 1.4A | Idm: 8.8A | 2.8W | SOT23-3
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 1.4A | Idm: 8.8A | 2.8W | SOT23-3
EB Kods: EB761544612
Ražotāja preces kods: BXT2800N10M
Ražotāja preces kods:
BXT2800N10M
Ražotājs, zīmols: BRIDGELUX
Ražotājs, zīmols:
BRIDGELUX
0,15 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 1.4A |
Pulsed drain current | 8.8A |
Power dissipation | 2.8W |
Case | SOT23-3 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.31Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 12nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |