Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 145A | Idm: 580A | 208W | TO263
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 145A | Idm: 580A | 208W | TO263
EB Kods: EB1032720631
Ražotāja preces kods: WMM043N10HGS
Ražotāja preces kods:
WMM043N10HGS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
1,43 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 145A |
Pulsed drain current | 580A |
Power dissipation | 208W |
Case | TO263 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 4.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 98.4nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |