Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 1.2A | Idm: 7.6A | 2W
Transistor: N-MOSFET | unipolar | 100V | 1.2A | Idm: 7.6A | 2W
EB Kods: EB1087507720
Ražotāja preces kods: PMV213SN,215
Ražotāja preces kods:
PMV213SN,215
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,50 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 1.2A |
Pulsed drain current | 7.6A |
Power dissipation | 2W |
Case | SOT23 |
Case | TO236AB |
Gate-source voltage | ±30V |
On-state resistance | 575mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 7nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |