Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.24A | Idm: 1.2A | 0.26W
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.24A | Idm: 1.2A | 0.26W
EB Kods: EB2052027152
Ražotāja preces kods: 2N7002PW,115
Ražotāja preces kods:
2N7002PW,115
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,34 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.24A |
Pulsed drain current | 1.2A |
Power dissipation | 0.26W |
Case | SC70 |
Case | SOT323 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1.6Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.8nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |