Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.12A | Idm: 0.76A | ESD
Transistor: N-MOSFET | Trench | unipolar | 60V | 0.12A | Idm: 0.76A | ESD
EB Kods: EB2049227762
Ražotāja preces kods: 2N7002NXAKR
Ražotāja preces kods:
2N7002NXAKR
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,20 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | Trench |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.12A |
Pulsed drain current | 0.76A |
Power dissipation | 0.265W |
Case | SOT23 |
Case | TO236AB |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 9.2Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.43nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |