Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | EETMOS3 | unipolar | 100V | 8A | Idm: 24A | 20W
Transistor: N-MOSFET | EETMOS3 | unipolar | 100V | 8A | Idm: 24A | 20W
EB Kods: EB394686715
Ražotāja preces kods: P8B10SB-5071
Ražotāja preces kods:
P8B10SB-5071
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
0,51 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Technology | EETMOS3 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100V |
| Drain current | 8A |
| Pulsed drain current | 24A |
| Power dissipation | 20W |
| Case | FB (TO252AA) |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 94mΩ |
| Mounting | SMD |
| Gate charge | 16.5nC |
| Kind of package | reel |
| Kind of package | tape |
| Kind of channel | enhanced |