Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | EETMOS2 | unipolar | 70V | 80A | Idm: 320A | 128W
Transistor: N-MOSFET | EETMOS2 | unipolar | 70V | 80A | Idm: 320A | 128W
EB Kods: EB1109766062
Ražotāja preces kods: P80FG7R5EN-5071
Ražotāja preces kods:
P80FG7R5EN-5071
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
2,04 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | EETMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 70V |
Drain current | 80A |
Pulsed drain current | 320A |
Power dissipation | 128W |
Case | FG (TO263AB) |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6.4mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 67nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |