Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET | EETMOS2 | unipolar | 60V | 25A | Idm: 70A | 35W
Transistor: N-MOSFET | EETMOS2 | unipolar | 60V | 25A | Idm: 70A | 35W
EB Kods: EB1004433513
Ražotāja preces kods: P25B6EB-5071
Ražotāja preces kods:
P25B6EB-5071
Ražotājs, zīmols: SHINDENGEN
Ražotājs, zīmols:
SHINDENGEN
0,60 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET |
Technology | EETMOS2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 25A |
Pulsed drain current | 70A |
Power dissipation | 35W |
Case | FB (TO252AA) |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 29mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 14.5nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |