• Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 24mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA image 1
  • Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 24mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA image 2
Tulkot latviski

Transistor: N-JFET | unipolar | 25V | 24mA | 0.225W | SOT23 | Igt: 10mA

EB Kods: EB1911909243

Ražotāja preces kods: 
MMBFJ310LT1G

Ražotājs, zīmols: 
ONSEMI

 0,49 € 
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
Uzdot jautājumu
-+

Product Properties

Type of transistorN-JFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current24mA
Power dissipation0.225W
CaseSOT23
Gate-source voltage-25V
MountingSMD
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Gate current10mA