Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -660mA | Idm: -2.64A | 150mW
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -660mA | Idm: -2.64A | 150mW
EB Kods: EB1386816099
Ražotāja preces kods: WM02DP06T
Ražotāja preces kods:
WM02DP06T
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,49 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -660mA |
Pulsed drain current | -2.64A |
Power dissipation | 0.15W |
Case | SOT563 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 0.52Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |
Version | ESD |