Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -30V | -6.9A | 1.6W | SO8
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -30V | -6.9A | 1.6W | SO8
EB Kods: EB512497835
Ražotāja preces kods: FDS4935BZ
Ražotāja preces kods:
FDS4935BZ
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
1,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -6.9A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 35mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 40nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |