Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -30V | -5.9A | 5W | SO8
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -30V | -5.9A | 5W | SO8
EB Kods: EB658679952
Ražotāja preces kods: SI4925DDY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI4925DDY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,29 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -30V |
Drain current | -5.9A |
Power dissipation | 5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 41mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 50nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |