Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -6A | 1.6W | SO8
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -6A | 1.6W | SO8
EB Kods: EB702197110
Ražotāja preces kods: FDS6875
Ražotāja preces kods:
FDS6875
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
1,48 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -6A |
Power dissipation | 1.6W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 48mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 31nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |