Tulkot latviski
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -2.3A | 0.96W | SuperSOT-6
Transistor: P-MOSFET x2 | unipolar | -20V | -2.3A | 0.96W | SuperSOT-6
EB Kods: EB734807851
Ražotāja preces kods: FDC6312P
Ražotāja preces kods:
FDC6312P
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
0,81 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | -20V |
Drain current | -2.3A |
Power dissipation | 0.96W |
Case | SuperSOT-6 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 0.15Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |