Tulkot latviski
Transistor: N/P-MOSFET | unipolar | 30/-30V | 6.8/-4.6A | 2W | SO8
Transistor: N/P-MOSFET | unipolar | 30/-30V | 6.8/-4.6A | 2W | SO8
EB Kods: EB670692107
Ražotāja preces kods: IRF9389TRPBF
Ražotāja preces kods:
IRF9389TRPBF
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
0,83 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
| Technology | HEXFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 30/-30V |
| Drain current | 6.8/-4.6A |
| Power dissipation | 2W |
| Case | SO8 |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 27/64mΩ |
| Mounting | SMD |
| Kind of package | reel |
| Kind of channel | enhanced |