Tulkot latviski
Transistor: N/P-MOSFET | unipolar | 30/-30V | 2.7/-2.4A | Idm: 25÷-20A
Transistor: N/P-MOSFET | unipolar | 30/-30V | 2.7/-2.4A | Idm: 25÷-20A
EB Kods: EB1297680549
Ražotāja preces kods: DMG6602SVTQ-7
Ražotāja preces kods:
DMG6602SVTQ-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N/P-MOSFET |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30/-30V |
Drain current | 2.7/-2.4A |
Pulsed drain current | 25...-20A |
Power dissipation | 0.84W |
Case | TSOT26 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 0.06/0.095Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Application | automotive industry |