Tulkot latviski
Transistor: N/P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 40/-40V | 6.8/-5.8A
Transistor: N/P-MOSFET | TrenchFET® | unipolar | 40/-40V | 6.8/-5.8A
EB Kods: EB1664790175
Ražotāja preces kods: SI4599DY-T1-GE3
Ražotāja preces kods:
SI4599DY-T1-GE3
Ražotājs, zīmols: VISHAY
Ražotājs, zīmols:
VISHAY
1,20 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N/P-MOSFET |
Technology | TrenchFET® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 40/-40V |
Drain current | 6.8/-5.8A |
Power dissipation | 3.1/3W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 62/42.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 38/20nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |