Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 40V | 28.5A | Idm: 180A | 31.6W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 40V | 28.5A | Idm: 180A | 31.6W
EB Kods: EB192181761
Ražotāja preces kods: WMB090DN04LG2
Ražotāja preces kods:
WMB090DN04LG2
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,81 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 40V |
Drain current | 28.5A |
Pulsed drain current | 180A |
Power dissipation | 31.6W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 16mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 5.6nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |