Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 40V | 28A | Idm: 112A | 18.4W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 40V | 28A | Idm: 112A | 18.4W
EB Kods: EB1008595875
Ražotāja preces kods: WMQ30DN04TS
Ražotāja preces kods:
WMQ30DN04TS
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,89 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 40V |
Drain current | 28A |
Pulsed drain current | 112A |
Power dissipation | 18.4W |
Case | PDFN3030-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 14.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 26nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |