Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 20V | 8A | Idm: 49A | 1.56W | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 20V | 8A | Idm: 49A | 1.56W | ESD
EB Kods: EB712012802
Ražotāja preces kods: WM02DN080C
Ražotāja preces kods:
WM02DN080C
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,89 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 8A |
Pulsed drain current | 49A |
Power dissipation | 1.56W |
Case | DFN2030-6 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 15.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 11nC |
Kind of package | reel |
Kind of channel | enhancement |
Semiconductor structure | common drain |
Version | ESD |