Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 65V | 40A | Idm: 160A | 27.8W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 65V | 40A | Idm: 160A | 27.8W
EB Kods: EB444766412
Ražotāja preces kods: WMB090DNV6LG4
Ražotāja preces kods:
WMB090DNV6LG4
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
1,10 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 65V |
Drain current | 40A |
Pulsed drain current | 160A |
Power dissipation | 27.8W |
Case | PDFN5060-8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 10.5mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 22.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |