Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 60V | 0.31A | 410mW
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 60V | 0.31A | 410mW
EB Kods: EB83754250
Ražotāja preces kods: PMGD780SN,115
Ražotāja preces kods:
PMGD780SN,115
Ražotājs, zīmols: NEXPERIA
Ražotājs, zīmols:
NEXPERIA
0,50 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 60V |
Drain current | 0.31A |
Power dissipation | 0.41W |
Case | SC88 |
Case | SOT363 |
Case | TSSOP6 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 1.7Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 1.05nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |