Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 50V | 400mA | Idm: 1.2A | 350mW
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 50V | 400mA | Idm: 1.2A | 350mW
EB Kods: EB644740995
Ražotāja preces kods: PJT7838_R1_00001
Ražotāja preces kods:
PJT7838_R1_00001
Ražotājs, zīmols: PanJit Semiconductor
Ražotājs, zīmols:
PanJit Semiconductor
0,30 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 50V |
Drain current | 0.4A |
Pulsed drain current | 1.2A |
Power dissipation | 0.35W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 6Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.95nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |