Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 50V | 0.25A | 0.31W | SOT363 | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 50V | 0.25A | 0.31W | SOT363 | ESD
EB Kods: EB1901502539
Ražotāja preces kods: DMN53D0LDW-7
Ražotāja preces kods:
DMN53D0LDW-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,28 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 50V |
Drain current | 0.25A |
Power dissipation | 0.31W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 2.5Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Version | ESD |