Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 8.4A | 1.5W | SO8
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 8.4A | 1.5W | SO8
EB Kods: EB623233668
Ražotāja preces kods: DMG4800LSD-13
Ražotāja preces kods:
DMG4800LSD-13
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 8.4A |
Power dissipation | 1.5W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±25V |
On-state resistance | 22mΩ |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |