Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 600mA | Idm: 1.8A | 300mW
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 600mA | Idm: 1.8A | 300mW
EB Kods: EB2111862574
Ražotāja preces kods: WM03DN06D
Ražotāja preces kods:
WM03DN06D
Ražotājs, zīmols: WAYON
Ražotājs, zīmols:
WAYON
0,50 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 0.6A |
Pulsed drain current | 1.8A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±12V |
On-state resistance | 0.5Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 450pC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |
Version | ESD |