Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 400mA | 280mW | SOT353 | ESD
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 30V | 400mA | 280mW | SOT353 | ESD
EB Kods: EB492424967
Ražotāja preces kods: DMN32D2LDF-7
Ražotāja preces kods:
DMN32D2LDF-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,37 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 30V |
Drain current | 0.4A |
Power dissipation | 0.28W |
Case | SOT353 |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 2.2Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |
Semiconductor structure | common source |
Version | ESD |