Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 25V | 0.22A | 0.3W

EB Kods: EB359668038

Ražotāja preces kods: 
FDG6301N

Ražotājs, zīmols: 
ONSEMI

 0,55  
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas. 
-+

Type of transistorN-MOSFET x2
TechnologyPowerTrench®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage25V
Drain current0.22A
Power dissipation0.3W
CaseSC70-6
CaseSC88
CaseSOT363
Gate-source voltage±8V
On-state resistance
MountingSMD
Gate charge0.4nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced