Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 25V | 0.22A | 0.3W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 25V | 0.22A | 0.3W
EB Kods: EB359668038
Ražotāja preces kods: FDG6301N
Ražotāja preces kods:
FDG6301N
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
0,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 25V |
Drain current | 0.22A |
Power dissipation | 0.3W |
Case | SC70-6 |
Case | SC88 |
Case | SOT363 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 7Ω |
Mounting | SMD |
Gate charge | 0.4nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |