Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 20V | 300mA | Idm: 0.6A | 150mW
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 20V | 300mA | Idm: 0.6A | 150mW
EB Kods: EB1078161974
Ražotāja preces kods: EM6K6T2R
Ražotāja preces kods:
EM6K6T2R
Ražotājs, zīmols: ROHM SEMICONDUCTOR
Ražotājs, zīmols:
ROHM SEMICONDUCTOR
0,49 €
Bez PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 20V |
Drain current | 0.3A |
Pulsed drain current | 0.6A |
Power dissipation | 0.15W |
Case | SOT563 |
Gate-source voltage | ±8V |
On-state resistance | 1.4Ω |
Mounting | SMD |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhancement |
Version | ESD |