Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 12V | 5.5A | Idm: 35A | 1.7W
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 12V | 5.5A | Idm: 35A | 1.7W
EB Kods: EB128447584
Ražotāja preces kods: DMN1025UFDB-7
Ražotāja preces kods:
DMN1025UFDB-7
Ražotājs, zīmols: DIODES INCORPORATED
Ražotājs, zīmols:
DIODES INCORPORATED
0,27 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 12V |
Drain current | 5.5A |
Pulsed drain current | 35A |
Power dissipation | 1.7W |
Case | U-DFN2020-6 |
Gate-source voltage | ±10V |
On-state resistance | 38mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 23.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |