Tulkot latviski
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 2.7A | 31W | SO8
Transistor: N-MOSFET x2 | unipolar | 100V | 2.7A | 31W | SO8
EB Kods: EB1189474580
Ražotāja preces kods: FDS89161
Ražotāja preces kods:
FDS89161
Ražotājs, zīmols: ONSEMI
Ražotājs, zīmols:
ONSEMI
2,05 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of transistor | N-MOSFET x2 |
Technology | PowerTrench® |
Polarisation | unipolar |
Drain-source voltage | 100V |
Drain current | 2.7A |
Power dissipation | 31W |
Case | SO8 |
Gate-source voltage | ±20V |
On-state resistance | 176mΩ |
Mounting | SMD |
Gate charge | 4.1nC |
Kind of package | reel |
Kind of package | tape |
Kind of channel | enhanced |