Tulkot latviski
Module: IGBT | transistor/transistor | IGBT half-bridge | Ic: 200A
Module: IGBT | transistor/transistor | IGBT half-bridge | Ic: 200A
EB Kods: EB1893346574
Ražotāja preces kods: FF200R12KT4HOSA1
Ražotāja preces kods:
FF200R12KT4HOSA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
162,97 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 9 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | transistor/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Collector current | 200A |
Case | AG-62MM-1 |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 400A |
Power dissipation | 1.1kW |
Mechanical mounting | screw |