Tulkot latviski
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 600V | Ic: 200A | SOT227B
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 600V | Ic: 200A | SOT227B
EB Kods: EB2109342187
Ražotāja preces kods: IXGN200N60B3
Ražotāja preces kods:
IXGN200N60B3
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
74,39 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | single transistor |
Max. off-state voltage | 0.6kV |
Collector current | 200A |
Case | SOT227B |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 1.2kA |
Power dissipation | 830W |
Technology | GenX3™ |
Technology | PT |
Mechanical mounting | screw |