Tulkot latviski
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.2kV | Ic: 65A | SOT227B
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.2kV | Ic: 65A | SOT227B
EB Kods: EB541588711
Ražotāja preces kods: IXA70I1200NA
Ražotāja preces kods:
IXA70I1200NA
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
49,31 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | single transistor |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Collector current | 65A |
Case | SOT227B |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 150A |
Power dissipation | 350W |
Technology | XPT™ |
Features of semiconductor devices | high voltage |
Mechanical mounting | screw |