Tulkot latviski
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.2kV | Ic: 57A | SOT227B
Module: IGBT | single transistor | Urmax: 1.2kV | Ic: 57A | SOT227B
EB Kods: EB1045851399
Ražotāja preces kods: APT75GP120JDQ3
Ražotāja preces kods:
APT75GP120JDQ3
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
78,34 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | single transistor |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Collector current | 57A |
Case | SOT227B |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 300A |
Power dissipation | 543W |
Technology | POWER MOS 7® |
Mechanical mounting | screw |