Tulkot latviski
Module: IGBT | diode/transistor | IGBT half-bridge | Urmax: 1.2kV
Module: IGBT | diode/transistor | IGBT half-bridge | Urmax: 1.2kV
EB Kods: EB2029768152
Ražotāja preces kods: IXA30PG1200DHGLB
Ražotāja preces kods:
IXA30PG1200DHGLB
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
21,71 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 9 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | diode/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Collector current | 30A |
Case | SMPD-B |
Electrical mounting | SMT |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 75A |
Power dissipation | 150W |
Technology | ISOPLUS™ |
Technology | Sonic FRD™ |