Tulkot latviski
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 1.2kV | SMT
Module: IGBT | diode/transistor | boost chopper | Urmax: 1.2kV | SMT
EB Kods: EB1735175123
Ražotāja preces kods: IXA40RG1200DHGLB
Ražotāja preces kods:
IXA40RG1200DHGLB
Ražotājs, zīmols: IXYS
Ražotājs, zīmols:
IXYS
18,55 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 2 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of module | IGBT |
Semiconductor structure | diode/transistor |
Topology | boost chopper |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Collector current | 43A |
Case | SMPD-B |
Electrical mounting | SMT |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Pulsed collector current | 105A |
Power dissipation | 215W |
Technology | ISOPLUS™ |
Technology | Sonic FRD™ |