Tulkot latviski
Diode: transil | 3kW | 17.8V | 115.4A | unidirectional | ±5% | DO214AB
Diode: transil | 3kW | 17.8V | 115.4A | unidirectional | ±5% | DO214AB
EB Kods: EB1175760868
Ražotāja preces kods: MASMLJ16AE3
Ražotāja preces kods:
MASMLJ16AE3
Ražotājs, zīmols: MICROCHIP TECHNOLOGY
Ražotājs, zīmols:
MICROCHIP TECHNOLOGY
10,90 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā 10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of diode | TVS |
Peak pulse power dissipation | 3kW |
Max. off-state voltage | 16V |
Breakdown voltage | 17.8V |
Max. forward impulse current | 115.4A |
Semiconductor structure | unidirectional |
Tolerance | ±5% |
Case | DO214AB |
Mounting | SMD |
Leakage current | 2µA |