Tulkot latviski
Diode: Schottky rectifying | SiC | THT | 1.2kV | 2x7.5A | 200W | Ir: 8uA
Diode: Schottky rectifying | SiC | THT | 1.2kV | 2x7.5A | 200W | Ir: 8uA
EB Kods: EB1790956068
Ražotāja preces kods: IDW15G120C5BFKSA1
Ražotāja preces kods:
IDW15G120C5BFKSA1
Ražotājs, zīmols: INFINEON TECHNOLOGIES
Ražotājs, zīmols:
INFINEON TECHNOLOGIES
12,75 €
Ar PVN / gb
Pieejams piegādātāja noliktavā >10 gab.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
⛟ Piegāde 1-3 darba dienas pēc apmaksas.
Type of diode | Schottky rectifying |
Technology | CoolSiC™ 5G |
Technology | SiC |
Mounting | THT |
Max. off-state voltage | 1.2kV |
Load current | 7.5A x2 |
Semiconductor structure | common cathode |
Semiconductor structure | double |
Case | PG-TO247-3 |
Max. forward voltage | 1.4V |
Max. forward impulse current | 160A |
Leakage current | 8µA |
Power dissipation | 200W |
Kind of package | tube |