Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 27A | Idm: 80A | 241W

EB Koodi: EB667129382

Valmistajan tuotekoodi: 
B1M080120HC

Valmistaja, merkki: 
BASiC SEMICONDUCTOR

 22,46 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current27A
Pulsed drain current80A
Power dissipation241W
CaseTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance80mΩ
MountingTHT
Gate charge149nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced