Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | SiC | unipolar | 1.2kV | 29A | Idm: 80A | 207W

EB Koodi: EB1947657666

Valmistajan tuotekoodi: 
G3R75MT12K

Valmistaja, merkki: 
GeneSiC SEMICONDUCTOR

 20,77 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
TechnologyG3R™
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current29A
Pulsed drain current80A
Power dissipation207W
CaseTO247-4
Gate-source voltage-5...15V
On-state resistance75mΩ
MountingTHT
Gate charge54nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhanced
Features of semiconductor devicesKelvin terminal