Tulkot latviski

Transistor: N-MOSFET | unipolar | 30V | 21A | Idm: 40A | 15W | HSMT8

EB Koodi: EB830388685

Valmistajan tuotekoodi: 
RQ3E100BNTB

Valmistaja, merkki: 
ROHM SEMICONDUCTOR

 0,43 € 
Sisältää arvonlisäveron / gb
Toimittajan varastossa >10 kpl
⛟ Toimitus 1-3 työpäivää maksun jälkeen. 
On kysymys?
-+

Product Properties

Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current21A
Pulsed drain current40A
Power dissipation15W
CaseHSMT8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance15.3mΩ
MountingSMD
Gate charge22nC
Kind of packagereel
Kind of packagetape
Kind of channelenhanced